高溫柵偏

設(shè)備：高溫柵偏測(cè)試系統(tǒng)HTXB GR3-D

廠商：閱芯科技

用途：要用于功率半導(dǎo)體器件的環(huán)境老化試驗(yàn)，比如 Si/SiC/GaN 材料的 IGBT/DIODE/MOSFET/HEMT/BJT/SCR 等器件的 HTGB 試驗(yàn)，用于測(cè)定柵氧本身及相關(guān)界面的可靠性。

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：GJB128A-1997方法1042條件B穩(wěn)態(tài)柵偏置；MIL-STD-750F Method 1038 Test condition B；JESD22-A108D Temperature，Bias，and Operating Life

技術(shù)指標(biāo)：

l 最大工作電壓2000V

l 測(cè)試溫度：-20℃-180℃

l I_GES檢測(cè)范圍：0-2000nA，分辨率0.01nA